SIMULAZIONE DI GATE STACK ALTERNATIVI PER APPLICAZIONI DI LOGICA E MEMORIE NON VOLATILI

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Studio di gate stack alternativi, in particolare contenenti ossido di afnio e silicato di afnio, per lo studio di MOSFET di dimensioni nanometriche. La seconda parte è invece rivolta allo studio delle memorie a nanocristalli; l’introduzione di un modello fisico dei processi di generazione e ricombinazione cio ha permesso di simulare il comportamento del dot.