Vai al contenuto
Dispositivi Elettronici

Amplificatori a transistor: punto di lavoro e modello per piccoli segnali

Retta di carico e punto di lavoro, transconduttanza di MOSFET e BJT, modello per piccoli segnali, amplificatore a source comune, altre configurazioni ed effetto Miller.

Un transistor amplifica perché una piccola variazione della tensione d’ingresso produce una grande variazione della corrente d’uscita, che su un resistore diventa una grande variazione di tensione. Per sfruttarlo bisogna separare due problemi: la polarizzazione, cioè le tensioni e correnti continue che fissano il punto di lavoro, e il segnale, cioè le piccole variazioni attorno a quel punto. In questa lezione vediamo i modelli per piccoli segnali di MOSFET e BJT e le configurazioni di base.

Retta di carico e punto di lavoro

Si consideri un MOSFET con il source a massa e il drain collegato all’alimentazione V_{DD} attraverso un resistore R_D. Per la legge di Kirchhoff all’uscita,

    \[ v_{DS} = V_{DD} - R_D\,i_D \]

È una retta nel piano (v_{DS}, i_D), la retta di carico, che va da V_{DD} sull’asse delle tensioni a V_{DD}/R_D sull’asse delle correnti. Il transistor deve stare contemporaneamente su questa retta e sulla sua caratteristica: l’intersezione è il punto di lavoro Q.

Retta di carico sulle caratteristiche d'uscita di un MOSFET con il punto di lavoro
La retta di carico, determinata dall’alimentazione e dal resistore di drain, interseca la caratteristica corrispondente alla tensione di gate scelta nel punto di lavoro Q. Quando il segnale fa variare la tensione di gate, il punto si sposta lungo la retta tra le due intersezioni vicine, e la tensione d’uscita varia molto più di quella d’ingresso.

Quando il segnale fa oscillare v_{GS}, il punto si muove lungo la retta: una piccola variazione di v_{GS} sposta il punto da una curva all’altra, e la proiezione sull’asse v_{DS} mostra una variazione molto più ampia, di segno opposto. Q va scelto a metà della zona utile, lontano sia dalla zona di triodo sia dall’interdizione, per lasciare spazio al segnale in entrambi i versi.

La transconduttanza

Per piccole variazioni attorno a Q, la caratteristica si può sostituire con la sua tangente. Il parametro chiave è la transconduttanza, la derivata della corrente d’uscita rispetto alla tensione d’ingresso:

    \[ g_m = \frac{\partial i_D}{\partial v_{GS}}\Big|_Q \]

MOSFET. Derivando la legge quadratica i_D = \frac12 k_n'\frac{W}{L}v_{OV}^2:

    \[ g_m = k_n'\frac{W}{L}\,V_{OV} = \frac{2I_D}{V_{OV}} \]

BJT. Derivando i_C = I_S e^{v_{BE}/V_T}:

    \[ g_m = \frac{I_S e^{V_{BE}/V_T}}{V_T} = \frac{I_C}{V_T} \]

A parità di corrente il BJT ha una transconduttanza molto più alta: con 1 mA, g_m = 1/0{,}0259 \approx 39 mA/V, mentre un MOSFET con V_{OV} = 0{,}5 V ne ha 4 mA/V. In compenso il BJT assorbe corrente dalla base: vista dalla base, la sua resistenza d’ingresso per piccoli segnali è r_\pi = \beta/g_m, circa 2,6 kΩ con \beta = 100 e 1 mA.

Il modello per piccoli segnali

Per i soli segnali, il transistor si sostituisce con un circuito lineare:

  • un generatore di corrente controllato g_m v_{gs} (o g_m v_{be}) tra drain e source (collettore ed emettitore);
  • la resistenza d’uscita r_o in parallelo, che tiene conto dell’effetto Early o della modulazione di canale;
  • per il BJT, la resistenza r_\pi tra base ed emettitore.

Le alimentazioni continue, per i segnali, sono cortocircuiti verso massa (la loro tensione non varia), e i condensatori di accoppiamento grandi sono cortocircuiti alla frequenza del segnale. Il metodo è sempre lo stesso: si calcola la polarizzazione in continua, si ricavano g_m, r_o, r_\pi, poi si analizza il circuito lineare per i piccoli segnali con i metodi dell’Elettrotecnica.

Quanto piccoli. L’approssimazione con la tangente vale finché il segnale d’ingresso è piccolo rispetto alla scala della non linearità: per il BJT v_{be} \ll V_T, cioè pochi millivolt; per il MOSFET v_{gs} \ll 2V_{OV}. Oltre, l’uscita si distorce.

L’amplificatore a source comune (o a emettitore comune)

Ingresso sul gate, uscita sul drain, source a massa. Con il modello per piccoli segnali, la corrente g_m v_{in} scorre nel parallelo di R_D e r_o:

    \[ A_v = \frac{v_{out}}{v_{in}} = -g_m\,(R_D \parallel r_o) \]

Il segno meno dice che l’uscita è invertita: quando il gate sale, la corrente cresce, la caduta su R_D cresce e il drain scende.

Esempi. MOSFET con g_m = 1 mA/V e R_D = 5 kΩ: A_v \approx -5. BJT a 1 mA con R_C = 4{,}7 kΩ: A_v \approx -39\cdot 4{,}7 \approx -180. Il guadagno massimo ottenibile, con un carico ideale, è g_m r_o, il guadagno intrinseco del transistor: g_m r_o = V_A/V_T per il BJT, migliaia; poche decine per i MOSFET moderni a canale corto.

Se nel circuito di polarizzazione c’è un resistore di emettitore (o di source) non cortocircuitato da un condensatore, il guadagno cala a circa -R_C/R_E ma diventa indipendente dal transistor e la distorsione diminuisce: è un esempio di retroazione negativa.

Le altre configurazioni

ConfigurazioneIngresso / uscitaGuadagno di tensioneResistenza d’ingressoResistenza d’uscitaUso
source (emettitore) comunegate / drainalto, invertentealta (MOS) o media (BJT)altastadio di guadagno
drain (collettore) comunegate / sourcecirca 1altabassa, circa 1/g_mseparatore, stadio d’uscita
gate (base) comunesource / drainalto, non invertentebassa, circa 1/g_maltaalta frequenza, cascode

Lo stadio a collettore comune (inseguitore di emettitore) non amplifica la tensione, ma la “copia” su un carico pesante: è lo stadio finale tipico degli amplificatori audio. Combinando gli stadi si costruiscono gli amplificatori operazionali, che hanno uno stadio differenziale in ingresso, uno o due stadi di guadagno e uno stadio d’uscita.

I limiti in frequenza

Le capacità interne del transistor (gate-source e gate-drain, base-emettitore e base-collettore) riducono il guadagno alle alte frequenze. Nello stadio a source comune la capacità tra ingresso e uscita appare all’ingresso moltiplicata per circa 1 + |A_v| (effetto Miller), ed è spesso lei a fissare la banda. Il parametro che riassume la velocità di un transistor è la frequenza di transizione f_T = g_m/(2\pi C_{in}), alla quale il guadagno di corrente scende a 1: decine o centinaia di gigahertz nei dispositivi attuali.

Subscribe
Notify of
guest
0 Comments
Oldest
Newest Most Voted
0
Would love your thoughts, please comment.x
()
x